Datasheet下载- 型号： 3EZ100D5/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ100D5/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ100D5/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ100D5/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ100D5/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ100D5/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ100D5/TR12 是 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下品牌）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为100V，额定功率为3W（DO-41封装），具有低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与钳位电路：用于电源输入端或敏感信号线，将瞬态电压钳位在100V附近，防止后级IC或模块因浪涌、ESD或开关噪声而损坏。 2. 基准电压源：在中等精度、非精密场合（如工业控制板、LED驱动反馈环路）提供稳定的100V参考点，配合分压电阻实现电压监测或比较功能。 3. 浪涌吸收与缓冲：与TVS或RC网络协同工作，在继电器/接触器断开、感性负载关断时吸收反电动势，抑制电压尖峰。 4. 高压电源稳压辅助：在离线式开关电源的启动电路或偏置绕组稳压中，为启动IC或光耦提供稳定偏置电压（需注意功耗限制，建议限流设计）。 需注意：该器件为玻璃钝化结型齐纳，不适用于高精度或低温漂要求场景；实际应用中须严格控制功耗（≤3W）、确保散热，并预留足够电压裕量（如输入峰值电压应≥100V×1.2）。Microsemi原厂已停产该型号，当前多为库存或替代方案（如Microchip的ZMxx系列），选型时建议核查最新数据手册及供货状态。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 100V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ100D5/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 76V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 100V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 160 欧姆 |
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