Datasheet下载- 型号： 3EZ100D10/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ100D10/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ100D10/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ100D10/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ100D10/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ100D10/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ100D10/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的一款单齐纳二极管，标称稳压值为100V，额定功率为3W（DO-41封装），具有±5%电压容差及低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 过压保护与钳位电路：在电源输入端或敏感模拟/数字接口处，用作瞬态电压抑制（TVS）辅助器件，配合TVS或MOV实现分级防护，将异常高压钳位于100V左右，防止后级IC（如MCU、ADC、通信收发器）损坏。 2. 高电压基准源：在工业控制、测试仪器或高压电源反馈环路中，提供稳定100V参考电压（需配限流电阻和滤波电容），适用于对精度要求不苛刻但需耐压高的场合。 3. 浪涌吸收与缓冲：用于继电器线圈、感性负载关断时的反电动势吸收，限制电压尖峰，延长开关器件（如MOSFET、IGBT）寿命。 4. 简易稳压供电：为高压偏置电路（如光电倍增管、压电驱动器、部分传感器偏置）提供低电流（≤20mA）、低成本稳压电源。 注意：该器件非低噪声/高精度基准，不适用于精密测量；实际使用需严格计算功耗、散热及串联限流电阻，避免持续超功耗工作。Microsemi原厂已整合至Microchip，当前供货及技术支持由Microchip提供。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 100V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ100D10/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 76V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 100V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 160 欧姆 |
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