Datasheet下载- 型号： 3EZ100D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ100D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ100D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ100D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ100D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ100D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ100D10/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的一款单齐纳二极管，标称稳压值为100V，额定功率为3W（DO-41封装），具有±5%电压容差及低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： - 高压电源稳压与基准：用于开关电源、DC-DC转换器或工业电源中，为控制电路（如PWM控制器、误差放大器）提供稳定100V参考电压或辅助偏置。 - 过压保护（OVP）与钳位：在高压模拟前端、电机驱动或通信接口电路中，与TVS或限流电阻配合，将瞬态电压钳位于100V左右，防止后级器件（如MOSFET栅极、运放输入端）因浪涌或反电动势损坏。 - 浪涌吸收与箝位电路：适用于继电器线圈、电感负载关断时的反峰电压抑制，尤其在工业PLC、电源适配器及照明镇流器中保障系统可靠性。 - 高精度电压检测阈值设定：结合分压网络，作为100V级过压/欠压检测的基准源，用于电池管理系统（BMS）高压模块或储能系统监控。 该器件具备良好的高温稳定性（工作结温达+175°C）和长期可靠性，适用于工业、汽车电子（非安全关键）、通信设备及电力电子等对稳健性要求较高的场景。注意：实际应用中需确保功耗不超过3W，并合理设计散热路径。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 100V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ100D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 76V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 100V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 160 欧姆 |
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