Datasheet下载- 型号： 3EZ100D/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ100D/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ100D/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ100D/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ100D/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ100D/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ100D/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为 100 V，额定功率为 3 W（DO-41 封装），采用卷带包装（TR8 表示 8mm 编带）。其主要应用场景包括： 1. 过压保护与箝位电路：在电源输入端或敏感模拟/数字接口处，用作瞬态电压抑制（TVS）辅助器件，配合压敏电阻或TVS二极管，对雷击、开关浪涌等高压尖峰进行快速箝位，防止后级电路损坏。 2. 高电压稳压参考源：适用于工业控制、测试仪器或高压电源中对精度要求不苛刻（典型容差 ±5%）的基准电压生成，如高压反馈环路中的分压采样参考点。 3. 浪涌吸收与能量泄放：在继电器线圈、感性负载关断时，提供续流通路并吸收反电动势，延长开关器件寿命。 4. LED驱动与高压偏置电路：在串联多颗LED或高压恒流源中，作为简单稳压/限压元件，保障系统工作电压稳定。 需注意：该器件为通用型齐纳二极管，非精密基准（温漂较大，动态阻抗较高），不适用于高精度、低噪声或低温漂场景；实际应用中应留足功率余量（建议降额至 ≤2W），并注意散热设计。Microsemi 已于2018年被 Microchip 收购，当前技术支持及供货由 Microchip 提供。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 100V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ100D/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 76V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 100V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 160 欧姆 |
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