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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供30C02CH-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 30C02CH-TL-E价格参考。ON Semiconductor30C02CH-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载30C02CH-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有30C02CH-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
30C02CH-TL-E 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极结型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性,适用于需要高效功率控制的场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于开关电源、DC-DC转换器中,作为开关元件,实现高效的能量转换。 2. 电机驱动:在直流电机或步进电机的驱动电路中,作为功率放大和开关控制元件。 3. 照明系统:如LED照明的调光或驱动电路中,用于调节电流或作为开关使用。 4. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)或其他工业控制设备中,用于信号放大或负载控制。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、车灯控制、电动窗等部件的开关控制电路中。 6. 消费类电子产品:如电视、音响设备、充电器等产品中的电源开关或功率调节电路。 该晶体管采用表面贴装封装(如TO-252或DPAK),便于自动化生产和散热管理,适合中高功率应用。其高可靠性和性价比使其在多种功率控制和开关电路中得到广泛应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN BIPO 0.7A 30V CPH3两极晶体管 - BJT BIP NPN 0.7A 30V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 30C02CH-TL-E- |
数据手册 | |
产品型号 | 30C02CH-TL-E |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 190mV @ 10mA,200mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 300 @ 50mA,2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 3-CPH |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 540 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-96 |
封装/箱体 | SC-59 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 700 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 1.4 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 700mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 800 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
系列 | 30C02CH |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
集电极—基极电压VCBO | 40 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.85 V |
集电极连续电流 | 700 mA |
频率-跃迁 | 540MHz |