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  • 型号: 2SK879-GR(TE85L,F)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SK879-GR(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK879-GR(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK879-GR(TE85L,F)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SK879-GR(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK879-GR(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

Ciss-InputCapacitance

8.2 pF

Ciss-输入电容

8.2 pF

描述

JFET N-CH USMJFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA

产品分类

JFET(结点场效应分离式半导体

FET类型

N 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

6.5 mA

Id-连续漏极电流

6.5 mA

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1924763&lineid=53&subcategoryid=47&subfamilyid=900139&familyid=1912643

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,JFET,Toshiba 2SK879-GR(TE85L,F)-

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?pid=2SK879&lang=en&type=datasheet

产品型号

2SK879-GR(TE85L,F)2SK879-GR(TE85L,F)

Pd-PowerDissipation

100 mW

Pd-功率耗散

100 mW

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

10 V

Vds-漏源极击穿电压

10 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 30 V

Vgs=0时的漏-源电流

2.6 mA

不同Id时的电压-截止(VGS关)

400mV @ 100nA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

2.6mA @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

8.2pF @ 10V

产品种类

JFET

供应商器件封装

USM

其它名称

2SK879-GR(TE85LF)DKR

功率-最大值

100mW

功率耗散

100 mW

包装

Digi-Reel®

商标

Toshiba

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SC-70-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏极电流(Id)-最大值

-

漏极连续电流

6.5 mA

漏源极电压(Vdss)

-

漏源电压VDS

10 V

电压-击穿(V(BR)GSS)

-

电阻-RDS(开)

-

输入电容

8.2 pF

配置

Single

闸/源击穿电压

- 30 V

闸/源截止电压

- 5 V

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