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- 型号： 2SK3617-TL-E
- 制造商： SANYO Semiconductor Company
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3617-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3617-TL-E价格参考。SANYO Semiconductor Company2SK3617-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK3617-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3617-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的2SK3617-TL-E是一款N沟道MOSFET，属于射频场效应晶体管（RF FET），主要用于高频信号放大和射频功率应用。该器件适用于需要高增益、低噪声及优良线性度的无线通信系统。 典型应用场景包括： 1. 无线通信设备：用于基站、中继器和无线接入点中的射频放大电路，支持UHF和微波频段信号处理。 2. 广播发射系统：在FM广播或电视发射机中作为功率放大器（PA），提供稳定的射频输出。 3. 工业与医疗射频设备：如射频加热、等离子发生器或医疗射频治疗仪中，承担高频能量控制功能。 4. 雷达与安防系统：适用于短距离雷达、监控通信模块等对信号响应速度和可靠性要求较高的场合。 2SK3617-TL-E具备良好的热稳定性和高耐压特性，适合在紧凑型高效率设计中使用，尤其适合空间受限但需高性能射频放大的模块。其封装形式有利于高频布局和散热管理，广泛应用于基础设施通信和专业射频电子设备中。
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