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  • 型号: 2SK3320-GR(TE85L,F
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3320-GR(TE85L,F由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3320-GR(TE85L,F价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK3320-GR(TE85L,F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SK3320-GR(TE85L,F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK3320-GR(TE85L,F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

JFET DUAL N-CH USV

产品分类

JFET(结点场效应

FET类型

N 沟道

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=2SK3320

产品图片

产品型号

2SK3320-GR(TE85L,F

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的电压-截止(VGS关)

200mV @ 100nA

不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)

2.6mA @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

13pF @ 10V

供应商器件封装

USV

其它名称

2SK3320-GR(TE85LFDKR

功率-最大值

200mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353

标准包装

1

漏极电流(Id)-最大值

-

漏源极电压(Vdss)

-

电压-击穿(V(BR)GSS)

-

电阻-RDS(开)

-

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