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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK1740-5-TB-E由SANYO Semiconductor Company设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK1740-5-TB-E价格参考。SANYO Semiconductor Company2SK1740-5-TB-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SK1740-5-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SK1740-5-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK1740-5-TB-E 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道MOSFET,属于射频(RF)晶体管类别。该器件专为高频应用设计,常用于无线通信系统中的射频功率放大和信号切换场景。 其主要应用场景包括: 1. 射频功率放大器:适用于UHF频段(如300MHz~3GHz)的低至中等功率放大电路,常见于无线发射模块、对讲机、射频识别(RFID)读写器及小型广播设备中。 2. 射频开关电路:在需要高速切换射频信号路径的系统中,如天线切换、多频段通信设备中发挥重要作用。 3. 工业与通信设备:广泛应用于工业无线控制、远程遥测、无线传感器网络等要求高稳定性和高频响应的场合。 2SK1740-5-TB-E具有低导通电阻、优良的增益特性和良好的热稳定性,适合在紧凑型高频电路中使用。其小型封装(如SOT-343)便于高密度贴装,适用于空间受限的便携式射频设备。此外,该器件工作电压适中,功耗较低,有助于提升系统能效。 综上,2SK1740-5-TB-E是一款适用于UHF频段通信系统的高性能射频MOSFET,广泛用于无线通信终端、工业射频模块及小型化射频设备中,具备良好的高频响应和可靠性。