ICGOO在线商城 > 2SJ683-TL-E
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： 2SJ683-TL-E
- 制造商： SANYO Semiconductor Company
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
2SJ683-TL-E产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SJ683-TL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供2SJ683-TL-E价格参考以及SANYO Semiconductor Company2SJ683-TL-E封装/规格参数等产品信息。 你可以下载2SJ683-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有2SJ683-TL-E详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 65A ZP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SJ683-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15500pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 290nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.5 毫欧 @ 33A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | ZP |
| 其它名称 | 869-1090-6 |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 65A （Ta） |
推荐商品
最新资讯
- 商务部:美国ITC正式对集成电路等产品启动337调查
- 曝三星4nm工艺存在良率问题 高通将骁龙8 Gen1或转产台积电
- 太阳诱电将投资9.5亿元在常州建新厂生产MLCC 预计2023年完工
- 英特尔发布欧洲新工厂建设计划 深化IDM 2.0 战略
- 台积电先进制程称霸业界 有大客户加持明年业绩稳了
- 达到5530亿美元！SIA预计今年全球半导体销售额将创下新高
- 英特尔拟将自动驾驶子公司Mobileye上市 估值或超500亿美元
- 三星加码芯片和SET，合并消费电子和移动部门，撤换高东真等 CEO
- 三星电子宣布重大人事变动 还合并消费电子和移动部门
- 海关总署：前11个月进口集成电路产品价值2.52万亿元 增长14.8%
2SJ683-TL-E 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商