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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SJ652-RA11由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SJ652-RA11价格参考。ON Semiconductor2SJ652-RA11封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SJ652-RA11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SJ652-RA11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Sanyo Denki America Inc. 的2SJ652-RA11是一款P沟道MOSFET晶体管,适用于多种中低功率电源管理与开关控制场景。该器件常用于DC-DC转换器、电源开关电路及电池供电设备中的负载控制模块,因其具备较低的导通电阻和良好的开关特性,有助于提升能效并减少发热。典型应用包括便携式电子设备(如笔记本电脑、平板)、工业控制板、电源管理系统以及各类嵌入式系统中的反向电流保护或电源切换功能。此外,2SJ652-RA11也适合用作逻辑电平驱动的开关元件,在电机驱动、继电器驱动等小信号控制电路中表现稳定。其封装形式有利于散热和紧凑布局,适用于对空间和效率要求较高的电子产品设计。由于停产或供货受限的可能性较高,目前多见于维修替换或库存项目中。建议在选用时确认最新供货状态,并参考替代型号以确保长期可用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SJ652-RA11 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4360pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 38 毫欧 @ 14A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220ML |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 28A (Ta) |