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- 型号： 2SJ266-DL-E
- 制造商： SANYO Semiconductor Company
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SJ266-DL-E由SANYO Semiconductor Company设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SJ266-DL-E价格参考。SANYO Semiconductor Company2SJ266-DL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SJ266-DL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SJ266-DL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的2SJ266-DL-E是一款P沟道MOSFET，属于射频（RF）场效应晶体管类别。该器件主要用于高频信号处理和射频功率放大等应用场景。其典型应用包括电视调谐器、卫星接收设备、有线电视（CATV）系统以及各类射频开关和低噪声放大电路。 2SJ266-DL-E具有优良的高频特性和低导通电阻，适合在UHF/VHF频段下稳定工作，能有效提升信号切换的效率与可靠性。由于其封装紧凑、性能稳定，常被用于需要小型化设计的消费类电子产品中，如数字机顶盒、模拟/数字电视模块和宽带通信设备。 此外，该MOSFET在射频开关应用中表现出良好的隔离度和插入损耗特性，适用于需要频繁切换射频信号路径的系统。其耐用性和温度稳定性也使其能在较宽的工作环境下保持性能一致，适合工业级和家用级设备使用。 综上，2SJ266-DL-E主要应用于电视接收系统、射频信号切换、低功率射频放大及各类高频模拟开关电路中，是射频前端设计中的关键元件之一。
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