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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SD1805G-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SD1805G-TL-E价格参考。ON Semiconductor2SD1805G-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SD1805G-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SD1805G-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的2SD1805G-TL-E是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),主要应用于中功率放大和开关电路。该器件具有较高的直流电流增益和良好的频率响应,适合在音频放大器、电源管理模块以及信号切换等场景中使用。 典型应用场景包括: 1. 音频放大电路:作为前置或驱动级放大管,用于消费类电子产品如音响设备、电视机和小型功放模块中,提供稳定的电流放大功能。 2. 电源开关电路:在DC-DC转换器、LED驱动电源或继电器控制电路中,用作开关元件,实现对负载的通断控制。 3. 工业控制与家用电器:广泛用于电机驱动、定时器、传感器信号调理等中小功率控制场合,具备良好的可靠性和温度稳定性。 2SD1805G-TL-E采用SOT-223封装,散热性能较好,适合贴片安装,适用于空间受限但需要一定功率处理能力的紧凑型电子设备。其额定集电极电流可达1.5A,耐压值为50V,能够在较宽的温度范围内稳定工作,满足工业级应用需求。 综上,该型号晶体管适用于对体积、效率和可靠性有要求的中低频模拟与数字控制电路,是消费电子、工业控制及电源系统中的常用元器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 5A 20V TP-FA两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 20V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SD1805G-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SD1805G-TL-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 60mA,3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 280 @ 500mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 2-TP-FA |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 120 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | TP-FA |
| 工厂包装数量 | 700 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 15 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 700 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 5A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 系列 | 2SD1805 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.5 V |
| 集电极连续电流 | 5 A |
| 频率-跃迁 | 120MHz |