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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC5347AE-TD-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC5347AE-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SC5347AE-TD-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SC5347AE-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC5347AE-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor品牌的2SC5347AE-TD-E是一款射频双极结型晶体管(RF BJT),主要用于高频信号放大和射频功率放大应用。该器件适用于工作频率较高的无线通信系统,常见于电视调谐器、有线电视(CATV)设备、卫星接收器以及宽带基础设施中的射频前端模块。 凭借其优异的增益特性和良好的噪声性能,2SC5347AE-TD-E在低噪声放大(LNA)和中等功率放大电路中表现出色,适合用于VHF(甚高频)和UHF(特高频)频段的信号处理。此外,该晶体管采用小型表面贴装封装,有助于节省电路板空间,适用于高密度布局的现代电子设备。 典型应用场景包括:模拟/数字电视接收模块、机顶盒、家庭网关、射频调制解调器及各类射频接口设备。其稳定的温度性能和可靠性也使其适用于工业级环境下的长期运行。总体而言,2SC5347AE-TD-E是一款面向广播与通信领域射频信号放大的高性能晶体管,广泛应用于需要高效、稳定射频增益的消费类与工业类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | 2SC5347AE-TD-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 90 @ 50mA,5V |
| 供应商器件封装 | PCP |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1.8dB @ 1GHz |
| 增益 | 8dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
| 频率-跃迁 | 4.7GHz |