Datasheet下载- 型号： 2SC4853A-4-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC4853A-4-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC4853A-4-TL-E价格参考。ON Semiconductor2SC4853A-4-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC4853A-4-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC4853A-4-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SC4853A-4-TL-E是安森美（ON Semiconductor）生产的一款高频NPN型射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于射频功率放大应用。该器件具有高增益、低噪声和优异的高频性能，适用于工作频率在数百MHz至数GHz范围内的无线通信系统。 典型应用场景包括： 1. 移动通信基站：作为射频功率放大器模块的关键元件，用于增强信号发射强度，支持GSM、CDMA、WCDMA等通信标准。 2. 无线基础设施设备：应用于微波链路、点对点通信系统中的中功率放大电路，确保信号稳定传输。 3. 广播与电视发射设备：在VHF/UHF频段的射频放大电路中提供高效线性放大，保障信号覆盖质量。 4. 工业与专用无线电系统：如对讲机、无线中继器等设备中的射频输出级，提升通信距离与可靠性。 5. 宽带无线接入系统：如WiMAX等无线网络设备中的射频前端放大器。 该晶体管采用小型表面贴装封装（如SOT-89），适合高密度PCB布局，具备良好的热稳定性和可靠性，广泛用于需要高效、紧凑射频设计的工业与通信领域。其“-4-TL-E”后缀表明为卷带包装，适合自动化贴片生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 15MA 6V MCP |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2SC4853A-4-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 90 @ 1mA，1V |
| 供应商器件封装 | 3-MCP |
| 功率-最大值 | 90mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 2.6dB ~ 1.9dB @ 1GHz |
| 增益 | 7dB ~ 10.5dB @ 1GHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 6V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 15mA |
| 频率-跃迁 | 5GHz |
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