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  • 型号: 2SC4793(F,M)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SC4793(F,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC4793(F,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC4793(F,M)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SC4793(F,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SC4793(F,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 230V 1A TO220NIS两极晶体管 - BJT NPN 230V 1A

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SC4793(F,M)-

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产品型号

2SC4793(F,M)2SC4793(F,M)

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.5V @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 100mA,5V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-220NIS

其它名称

2SC4793(F,M)-ND
2SC4793(Q)
2SC4793F,M-ND
2SC4793FM
2SC4793Q
2SC4793Q-ND

功率-最大值

2W

包装

管件

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

Toshiba

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220-3 FP

工厂包装数量

50

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

2 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

500

电压-集射极击穿(最大值)

230V

电流-集电极(Ic)(最大值)

1A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

320

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

230 V

集电极—基极电压VCBO

230 V

集电极连续电流

1 A

频率-跃迁

100MHz

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