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Datasheet下载- 型号： 2SC4793(F,M)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SC4793(F,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SC4793(F,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SC4793(F,M)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SC4793(F,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SC4793(F,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage 的 2SC4793(F,M) 是一款双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型结构。该型号的晶体管通常用于以下应用场景： 1. 音频放大器 - 2SC4793(F,M) 适用于低噪声、高增益的音频放大电路，例如前置放大器或功率放大器中的驱动级。 - 其高增益特性使其适合于需要精确信号放大的场合，如耳机放大器、音响系统和麦克风前置放大器。 2. 射频（RF）应用 - 由于其良好的高频性能，这款晶体管可以用于射频信号放大，尤其是在 VHF 和 UHF 频段的通信设备中。 - 它可用于无线发射机或接收机的低噪声放大器（LNA）以及混频器电路。 3. 开关电路 - 在低频开关应用中，2SC4793(F,M) 可用作简单的电子开关，控制负载的通断。 - 例如，在继电器驱动、LED 控制或小型电机驱动等场景中，它能够提供可靠的电流放大能力。 4. 传感器信号调理 - 晶体管可用于放大来自传感器的微弱信号，例如温度传感器、压力传感器或光电二极管输出信号。 - 其低噪声特性和高增益有助于提高信号的质量和可靠性。 5. 电源管理 - 在一些线性稳压器或基准电压源设计中，2SC4793(F,M) 可作为有源元件参与电压调节。 - 它还可以用于辅助电路，例如过流保护或限流功能。 6. 测试与测量设备 - 在精密仪器中，这款晶体管可用于构建高精度放大器或缓冲器，以处理敏感的电信号。 总结 2SC4793(F,M) 的主要特点包括高增益、低噪声和良好的频率响应，这使得它非常适合用于音频、射频、信号调理和低功耗开关等领域。具体应用时，需根据电路需求选择合适的偏置条件和外围元件，以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 230V 1A TO220NIS两极晶体管 - BJT NPN 230V 1A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SC4793(F,M)- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SC4793(F,M)2SC4793(F,M) |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.5V @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-220NIS |
| 其它名称 | 2SC4793(F,M)-ND |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Toshiba |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 FP |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 230V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 320 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 230 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 230 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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