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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1215S-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1215S-TL-E价格参考。ON Semiconductor2SB1215S-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SB1215S-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1215S-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SB1215S-TL-E 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款PNP型双极结型晶体管(BJT)。该晶体管常用于中功率放大和开关应用,具有良好的稳定性和可靠性。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器或稳压电路中,作为开关元件控制电流流动,提高电源转换效率。 2. 马达驱动电路:在小型电机控制中作为功率开关,实现电机的启停或速度调节。 3. 逆变器与转换器:用于功率转换系统中,如UPS(不间断电源)或太阳能逆变器中,实现电能形式的转换。 4. 音频放大器:作为音频功率放大电路中的输出级,用于提升音频信号的驱动能力。 5. 工业控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)或继电器驱动电路中,实现信号隔离与功率控制。 该晶体管采用SOT-89封装,具备良好的散热性能,适用于需要中等功率处理能力的电子系统。由于其高可靠性和广泛的工作温度范围,也适合工业级应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP BIPO 3A 100V TP-FA两极晶体管 - BJT BIP PNP 3A 100V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SB1215S-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1215S-TL-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 150mA,1.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 140 @ 500mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 2-TP-FA |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | SC-63 |
| 工厂包装数量 | 700 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 700 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 400 |
| 系列 | 2SB1215 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 100 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 120 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.2 V |
| 集电极连续电流 | - 3 A |
| 频率-跃迁 | 130MHz |