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  • 型号: 2SB1189T100Q
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1189T100Q由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1189T100Q价格参考。ROHM Semiconductor2SB1189T100Q封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SB1189T100Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1189T100Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的晶体管2SB1189T100Q是一种PNP型双极结型晶体管(BJT),常用于需要低饱和电压和高电流放大的电路中。该器件具有良好的热稳定性和可靠性,适合在工业和汽车电子系统中使用。

其主要应用场景包括:

1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、负载开关或稳压电路中,控制电源通断或调节输出电压。
2. 电机驱动:在小型电机或继电器驱动电路中作为开关元件,具有较高的电流承载能力。
3. 信号放大:在低频模拟信号放大电路中,作为前置放大或驱动级使用。
4. 汽车电子系统:如车身控制模块、车灯控制、电动窗驱动等,得益于其良好的温度适应性和可靠性。
5. 工业控制设备:用于PLC、传感器接口电路或继电器驱动电路中,实现信号隔离与功率控制。

该晶体管采用小型表面贴装封装,适合自动化装配,广泛应用于需要高效能与高稳定性的电子产品中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP 80V 0.7A SOT-89两极晶体管 - BJT PNP 80V 0.7A

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ROHM Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1189T100Q-

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产品型号

2SB1189T100Q

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 100mA,3V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

MPT3

其它名称

2SB1189T100QDKR

功率-最大值

2W

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

- 5 V

商标

ROHM Semiconductor

增益带宽产品fT

120 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-243AA

封装/箱体

SOT-89

工厂包装数量

1000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

2 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

- 0.7 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

700mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

120 at 0.1 A at 3 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

120

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 80 V

集电极—基极电压VCBO

- 80 V

集电极连续电流

- 0.7 A

频率-跃迁

100MHz

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