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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1189T100Q由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1189T100Q价格参考。ROHM Semiconductor2SB1189T100Q封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2SB1189T100Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2SB1189T100Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的晶体管2SB1189T100Q是一种PNP型双极结型晶体管(BJT),常用于需要低饱和电压和高电流放大的电路中。该器件具有良好的热稳定性和可靠性,适合在工业和汽车电子系统中使用。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、负载开关或稳压电路中,控制电源通断或调节输出电压。 2. 电机驱动:在小型电机或继电器驱动电路中作为开关元件,具有较高的电流承载能力。 3. 信号放大:在低频模拟信号放大电路中,作为前置放大或驱动级使用。 4. 汽车电子系统:如车身控制模块、车灯控制、电动窗驱动等,得益于其良好的温度适应性和可靠性。 5. 工业控制设备:用于PLC、传感器接口电路或继电器驱动电路中,实现信号隔离与功率控制。 该晶体管采用小型表面贴装封装,适合自动化装配,广泛应用于需要高效能与高稳定性的电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 80V 0.7A SOT-89两极晶体管 - BJT PNP 80V 0.7A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1189T100Q- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1189T100Q |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 50mA,500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 100mA,3V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | MPT3 |
| 其它名称 | 2SB1189T100QDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 120 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 0.7 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 700mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 120 at 0.1 A at 3 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 80 V |
| 集电极连续电流 | - 0.7 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |