Datasheet下载- 型号： 2SB1132T100P
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1132T100P由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1132T100P价格参考。ROHM Semiconductor2SB1132T100P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SB1132T100P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SB1132T100P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ROHM Semiconductor生产的2SB1132T100P是一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。这类器件通常应用于需要高效开关和放大功能的电子电路中。以下是该型号可能的应用场景： 1. 功率放大器：在音频设备和其他需要信号放大的应用中，这款晶体管可以用于构建功率放大器，以增强输入信号的强度。 2. 开关电路：由于其良好的开关特性，2SB1132T100P适用于各种开关电路，如继电器驱动、LED驱动等场合，能够快速且可靠地切换负载状态。 3. 电源管理：可用于DC-DC转换器、稳压器等电源管理系统中，帮助调节电压或电流输出，确保设备稳定运行。 4. 电机控制：在小型电机驱动和速度控制领域，该晶体管可作为驱动元件，实现对电机转速及方向的有效控制。 5. 通信设备：在无线通信系统中，这种高性能晶体管可用于射频（RF）信号处理，包括发射机功率放大和接收机前端增益调整等功能。 6. 工业自动化：在工厂自动化设备中，如传感器接口、信号调理电路等方面也有广泛应用。 总之，2SB1132T100P凭借其优异的电气特性和可靠性，在众多需要高精度、高效能操作的电子产品设计中发挥着重要作用。具体应用时需根据实际需求选择合适的外围电路配置，并考虑散热设计等因素以保证最佳性能表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DVR PNP 32V 1A SOT-89 TR两极晶体管 - BJT DVR PNP 32V 1A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1132T100P- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1132T100P |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 82 @ 100mA，3V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | MPT3 |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | MPT-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 1 A |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 32V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 390 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 32 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 40 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.2 V |
| 集电极连续电流 | - 1 A |
| 频率-跃迁 | 150MHz |
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