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Datasheet下载- 型号： 2SA1954-A(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SA1954-A(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SA1954-A(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SA1954-A(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SA1954-A(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SA1954-A(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）生产的2SA1954-A(TE85L,F)是一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 音频放大器：该型号的晶体管适合用于低噪声、高增益的音频信号放大电路中，例如前置放大器或功率放大器中的驱动级。它能够提供稳定的增益和较低的失真。 2. 开关电路：2SA1954-A可以作为开关元件使用，在数字电路或控制电路中实现信号的开启与关闭功能，适用于继电器驱动、LED驱动等场景。 3. 电源管理：在直流-直流转换器或其他电源管理模块中，该晶体管可用于稳压、限流等功能，确保电子设备获得稳定的电源供应。 4. 传感器信号调理：在工业自动化、智能家居等领域，此晶体管可用于对微弱传感器信号进行放大处理，以便后续电路进一步分析和利用。 5. 无线通信设备：由于其良好的高频特性，2SA1954-A也可能应用于射频（RF）前端电路中的小信号放大或混频操作。 6. 电机控制：在小型电机驱动电路中，该晶体管可充当电流放大器角色，帮助控制电机的速度和方向。 需要注意的是，具体应用时应根据实际需求选择合适的外围电路设计，并参考官方提供的数据手册以确保工作条件符合器件规格限制。此外，考虑到技术进步可能导致替代产品出现，建议查询最新产品信息以确认是否仍为最佳选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRAN PNP -12V -0.5A USM两极晶体管 - BJT PNP Transistor -12V USM -0.5A -0.03V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1371931&lineid=50&subfamilyid=1935055&familyid=1912643 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba 2SA1954-A(TE85L,F)- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SA1954-A(TE85L,F)2SA1954-A(TE85L,F) |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 10mA，200mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 10mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | USM |
| 其它名称 | 2SA1954-A(TE85LF)CT |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Toshiba |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 100 mW |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大直流电集电极电流 | 500 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 1000 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 15 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 15 mV |
| 频率-跃迁 | 130MHz |
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