Datasheet下载- 型号： 2N7227
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7227由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7227价格参考。American Microsemiconductor, Inc.2N7227封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N7227参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7227 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology的一部分）生产的2N7227晶体管属于FET（场效应晶体管）中的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），且为单通道设计。这种型号的MOSFET通常适用于以下场景： 1. 开关应用 - 电源管理：2N7227可以用作高效的电子开关，用于控制电路中的电流流动。例如，在DC-DC转换器、稳压器或电池充电电路中，实现精确的电压和电流调节。 - 信号切换：在需要快速切换信号的场景中，如音频设备、数据通信或传感器接口，该MOSFET能够提供低导通电阻和快速响应时间。 2. 放大应用 - 小信号放大：由于其高输入阻抗特性，2N7227适合用于放大微弱信号，例如在射频（RF）电路、音频前置放大器或其他低功率信号处理场景中。 - 增益级设计：可以作为放大器的核心元件，用于设计多级放大电路中的某一增益级。 3. 保护电路 - 过流保护：利用MOSFET的限流特性，可以在电路中实现过流保护功能，防止下游负载因电流过大而损坏。 - ESD防护：结合其他保护元件，2N7227可用于静电放电（ESD）保护电路，确保敏感设备的安全。 4. 脉冲宽度调制（PWM） - 在电机驱动、LED驱动或加热控制等场景中，2N7227可以通过PWM信号调节输出功率，实现速度、亮度或温度的精准控制。 5. 射频与无线通信 - 虽然2N7227并非专门针对高频应用设计，但在某些低频射频电路中，它仍然可以用于信号调制、解调或混频操作。 注意事项 在实际应用中，需根据2N7227的具体参数（如最大漏源电压VDS、漏极电流ID、栅极阈值电压VGS(th)等）选择合适的电路配置，并考虑散热设计以避免过热问题。此外，建议查阅官方数据手册以获取更详细的电气特性和推荐用法。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V TO-254AA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/8924-lds-0102-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2N7227 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 315 毫欧 @ 9A， 10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 4W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Tc） |
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