Datasheet下载- 型号： 2N7002BKS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N7002BKS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N7002BKS,115价格参考￥询价-￥询价。NXP Semiconductors2N7002BKS,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N7002BKS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N7002BKS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N7002BKS,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）阵列。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 开关电路 - 2N7002BKS,115 常用于低电压、低功耗的开关应用中。其低导通电阻特性使其非常适合驱动负载，例如 LED、继电器或小型电机。 - 在数字电路中，可以用作信号切换或电源管理中的开关元件。 2. 电源管理 - 该器件适用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等电源管理模块中的开关元件。 - 可用于电池保护电路，控制充电和放电路径。 3. 负载控制 - 在需要精确控制负载电流的应用中，如智能家居设备、物联网终端或便携式电子设备中，可以使用该 MOSFET 阵列来实现负载的动态开关。 - 适合于多通道负载控制场景，例如多路 LED 驱动或多个传感器供电。 4. 信号放大与调节 - 由于其高输入阻抗和低输出阻抗特性，2N7002BKS,115 可用于信号放大或缓冲电路。 - 在音频设备中，可用于小信号的预放大或驱动级。 5. 过流保护 - 利用其快速响应特性和低导通电阻，可以设计过流保护电路，防止下游电路因过载而损坏。 6. 通信设备 - 在通信设备中，可用于射频前端的功率控制或天线切换电路。 7. 汽车电子 - 在汽车电子系统中，可应用于车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统、LED 照明控制等。 8. 工业自动化 - 在工业控制领域，可用于步进电机驱动、伺服控制器或其他需要精确电流控制的场合。 总结 2N7002BKS,115 的主要优势在于其低导通电阻、小封装尺寸和可靠性，因此广泛应用于消费电子、通信设备、汽车电子和工业自动化等领域。具体选择时需根据实际工作条件（如电压、电流、频率等）进行匹配设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 300MA 6TSSOPMOSFET Single N-Channel 60V 300mA |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 300 mA |
| Id-连续漏极电流 | 300 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors 2N7002BKS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N7002BKS,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.83 W |
| Pd-功率耗散 | 830 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 2N7002BKS,115-ND |
| 功率-最大值 | 295mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 300mA |
| 配置 | Single |
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