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  • 型号: 2N6784U
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N6784U由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6784U价格参考。American Microsemiconductor, Inc.2N6784U封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N6784U参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N6784U 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的2N6784U是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率晶体管,常用于需要高效开关和功率控制的场景。

应用场景包括:

1. 电源管理:如开关电源(SMPS)中,用于高效转换和调节电压。
2. 电机控制:适用于直流电机驱动器,实现速度与方向控制。
3. 逆变器与变频器:在UPS(不间断电源)和变频驱动系统中作为功率开关使用。
4. 工业自动化:用于继电器驱动、电磁阀控制等工业控制系统。
5. 汽车电子:如车载充电系统、电动工具及汽车电机控制模块。
6. 照明系统:在LED驱动器或高强度放电灯(HID)镇流器中作为高频开关元件。

该器件具有高耐压、大电流承载能力,适合中高功率应用,常用于需要可靠性和稳定性的工业与汽车环境中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 200V 18LCC

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/125241-lds-0064-1

产品图片

产品型号

2N6784U

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.6nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.5 欧姆 @ 1.5A,0V

供应商器件封装

*

功率-最大值

800mW

包装

*

安装类型

*

封装/外壳

*

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.25A (Tc)

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