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  • 型号: 2N6768T1
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N6768T1由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6768T1价格参考。American Microsemiconductor, Inc.2N6768T1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N6768T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N6768T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的2N6768T1是一款N沟道功率MOSFET晶体管,属于FET(场效应晶体管)中的MOSFET类别。该器件常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。

应用场景包括:

1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器中,作为高效率的功率开关元件。
2. 电机控制:适用于直流电机驱动器、步进电机控制器等,实现对电机速度和方向的调节。
3. 照明系统:在LED驱动器或高强度放电灯(HID)控制电路中作为开关使用。
4. 工业自动化:用于PLC(可编程逻辑控制器)、继电器驱动电路、工业执行器控制等。
5. 汽车电子:如车载电源系统、电动工具、电池管理系统(BMS)中的功率控制。
6. 消费电子:如充电器、逆变器、UPS(不间断电源)等设备中进行功率转换和控制。

该器件具有较高的耐用性和稳定性,适用于中高功率应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N CH 400V 14A TO-254AA

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/125226-lds-0101-1

产品图片

产品型号

2N6768T1

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

400 毫欧 @ 14A, 10V

供应商器件封装

TO-254AA

功率-最大值

4W

包装

散装

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-254-3,TO-254AA(直引线)

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

400V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

14A (Ta)

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