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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N6667由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6667价格参考。ON Semiconductor2N6667封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N6667参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N6667 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor生产的2N6667是一款NPN型双极性晶体管(BJT),属于通用功率放大和开关应用的中功率晶体管。该器件主要应用于需要中等电流和电压处理能力的电路中。 典型应用场景包括:音频放大器中的前置或驱动级放大,用于信号的电压或电流放大;各类模拟电路中的线性放大功能模块;电源管理电路中的开关调节,如DC-DC转换器中的控制部分;以及工业控制设备中的继电器驱动、电机控制或固态继电器中的信号隔离与驱动。 此外,2N6667也常用于消费类电子设备、家用电器控制板、照明控制系统及汽车电子模块中,作为信号放大或低频开关元件。其较高的击穿电压(VCEO达80V)和良好的温度稳定性,使其在较恶劣的工作环境下仍能保持可靠性能。 由于具备较好的增益特性和热性能,2N6667适合在中等功率模拟和数字切换场合使用,尤其适用于对成本敏感且要求稳定性的传统工业与消费类设计。不过,在高频或高效率开关电源中,可能需配合其他器件或考虑更现代的替代方案。 总之,2N6667是一款成熟可靠的通用型NPN晶体管,广泛应用于放大、开关及控制类电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DARL PNP 10A 60V TO220AB |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2N6667 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3V @ 100mA,10A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 1000 @ 5A,3V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 2N6667OS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 10A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1mA |
| 频率-跃迁 | - |