【未分类_2N6517BU】封装/厂家_2N6517BU中文资料_价格

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型号： 2N6517BU
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2N6517BU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6517BU价格参考。Fairchild Semiconductor2N6517BU封装/规格：未分类，暂无。您可以下载2N6517BU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N6517BU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2N6517BU是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号的晶体管主要应用于以下场景：

1. 开关电路：  
   2N6517BU具有较高的集电极-发射极电压（Vce）和集电极电流（Ic）参数，适用于各种开关应用，例如继电器驱动、LED驱动或小型电机控制等场景。

2. 放大电路：  
   作为一款通用双极型晶体管，2N6517BU可以用于音频信号放大、射频信号放大或其他低噪声放大场景。其增益特性使其适合设计多级放大器中的某一阶段。

3. 电源管理：  
   在一些简单的电源管理电路中，如恒流源或稳压电路，2N6517BU可以用作关键元件来调节输出电流或电压。

4. 脉宽调制 (PWM) 控制：  
   该晶体管可用于PWM驱动电路，例如控制LED亮度或调节直流电机速度。

5. 保护电路：  
   在过流保护或短路保护电路中，2N6517BU可以用作检测和控制元件，通过快速响应异常情况来保护整个系统。

6. 通信设备：  
   因为它具备一定的频率特性，所以在某些低频或中频通信设备中也可以发挥作用，比如信号调制与解调电路。

需要注意的是，在实际应用时应根据具体需求选择合适的偏置条件，并确保工作环境符合器件的最大额定值要求，以保证可靠性和稳定性。此外，设计者还需考虑散热问题，特别是在大功率操作下可能需要加装散热片。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANSISTOR NPN 350V 500MA TO-92两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor 2N6517BU-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	2N6517BU
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	1V @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	20 @ 50mA，10V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-92-3
功率-最大值	625mW
包装	散装
单位重量	179 mg
发射极-基极电压VEBO	6 V
商标	Fairchild Semiconductor
增益带宽产品fT	200 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Bulk
封装/外壳	TO-226-3、TO-92-3 标准主体
封装/箱体	TO-92
工厂包装数量	1000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	625 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.5 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1,000
电压-集射极击穿（最大值）	350V
电流-集电极(Ic)（最大值）	500mA
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	200
直流集电极/BaseGainhfeMin	30
系列	2N6517
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	350 V
集电极—基极电压VCBO	350 V
集电极—射极饱和电压	1 V
集电极连续电流	0.5 A
零件号别名	2N6517BU_NL
频率-跃迁	200MHz