【未分类_2N6426G】封装/厂家_2N6426G中文资料_价格

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型号： 2N6426G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2N6426G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6426G价格参考。ON Semiconductor2N6426G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载2N6426G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N6426G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为2N6426G的晶体管由ON Semiconductor生产，属于双极型晶体管（BJT）中的PNP类型。该器件广泛应用于多种电子电路中，尤其适合于需要高可靠性和稳定性的场景。

首先，2N6426G常用于功率放大器设计，特别是在音频放大领域。由于其良好的电流放大特性和较高的工作电压能力，它能够有效地放大信号而不失真，因此在音响设备和功率放大模块中被广泛采用。

其次，该晶体管适用于开关电路应用。在数字电路或电源管理电路中，2N6426G可作为高速开关元件，控制负载的通断状态，例如用于继电器驱动、LED照明控制或电机控制等场景。

此外，2N6426G也常见于工业自动化与控制设备中，如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口电路以及各类嵌入式系统中，作为信号处理或电平转换的关键组件。

最后，由于其耐压高、稳定性好，该晶体管还被用于一些特殊环境下的电子设备，如测试仪器、通信设备及汽车电子系统中，以确保电路在复杂工况下仍能稳定运行。

综上所述，2N6426G凭借其优良性能，适用于音频放大、开关控制、工业自动化及汽车电子等多个领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS SS DARL NPN 500MA 40V TO92达林顿晶体管 500mA 50V NPN
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor 2N6426G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	2N6426G
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	1.5V @ 500µA， 500mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	30000 @ 100mA，5V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	达林顿晶体管
供应商器件封装	TO-92-3
其它名称	2N6426GOS
功率-最大值	625mW
功率耗散	625 mW
包装	散装
发射极-基极电压VEBO	12 V
商标	ON Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Bulk
封装/外壳	TO-226-3、TO-92-3 标准主体
封装/箱体	TO-92-3 (TO-226)
工厂包装数量	5000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN - 达林顿
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.5 A
最大集电极截止电流	0.05 uA
最小工作温度	- 55 C
标准包装	5,000
电压-集射极击穿（最大值）	40V
电流-集电极(Ic)（最大值）	500mA
电流-集电极截止（最大值）	1µA
直流集电极/BaseGainhfeMin	20000, 30000
系列	2N6426
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	40 V
集电极—基极电压VCBO	40 V
集电极连续电流	0.5 A
频率-跃迁	-

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