图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: 2N6034G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

2N6034G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N6034G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6034G价格参考。ON Semiconductor2N6034G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP - 达林顿 40V 4A 40W 通孔 TO-225AA。您可以下载2N6034G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N6034G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS DARL PNP 4A 40V TO225AA达林顿晶体管 4A 40V Bipolar Power PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor 2N6034G-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

2N6034G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

3V @ 40mA,4A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

750 @ 2A,3V

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

达林顿晶体管

供应商器件封装

TO-225AA

其它名称

2N6034GOS

功率-最大值

40W

功率耗散

40 W

包装

散装

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Bulk

封装/外壳

TO-225AA,TO-126-3

封装/箱体

TO-225-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP - 达林顿

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

4 A

最大集电极截止电流

500 uA

最小工作温度

- 65 C

标准包装

500

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

4A

电流-集电极截止(最大值)

100µA

直流集电极/BaseGainhfeMin

100, 500, 750

系列

2N6034

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

40 V

集电极—基极电压VCBO

40 V

集电极连续电流

4 A

频率-跃迁

-

2N6034G 相关产品

ZTX855STOA

品牌:Diodes Incorporated

价格:

BC548CTFR

品牌:ON Semiconductor

价格:

JANTXV2N3440

品牌:Microsemi Corporation

价格:

2SC4135T-TL-E

品牌:ON Semiconductor

价格:

2DD2679-13

品牌:Diodes Incorporated

价格:

DSS4140V-7

品牌:Diodes Incorporated

价格:

2SC5242RTU

品牌:ON Semiconductor

价格:

2N5210_D81Z

品牌:ON Semiconductor

价格: