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2N6034G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N6034G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N6034G价格参考。ON Semiconductor2N6034G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP - 达林顿 40V 4A 40W 通孔 TO-225AA。您可以下载2N6034G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N6034G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的2N6034G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),主要用于中功率放大和开关应用。该器件具有较高的电流增益和良好的热稳定性,适用于需要可靠性和稳定性能的电路设计。 典型应用场景包括:音频放大器中的前置或驱动级放大,用于提升信号强度;各类模拟电路中的线性放大功能;电源管理电路中的开关控制,如DC-DC转换器或继电器驱动;工业控制设备中的信号调节与驱动;以及消费类电子产品中的电机控制或灯光调光电路。 2N6034G采用TO-92封装,体积小巧,便于在紧凑型电路板上布局,适合自动化装配。其额定集电极电流可达1A,耐压值VCEO为80V,能够在较宽的温度范围内稳定工作,因此也适用于环境条件较为严苛的场合。 由于具备良好的性价比和可靠的性能表现,2N6034G广泛应用于家用电器、小型电源适配器、照明控制模块、电子镇流器及各类通用放大与开关电路中,是工业和民用电子系统中常用的中功率晶体管之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DARL PNP 4A 40V TO225AA达林顿晶体管 4A 40V Bipolar Power PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor 2N6034G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N6034G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3V @ 40mA,4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 750 @ 2A,3V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-225AA |
| 其它名称 | 2N6034GOS |
| 功率-最大值 | 40W |
| 功率耗散 | 40 W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
| 封装/箱体 | TO-225-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 4 A |
| 最大集电极截止电流 | 500 uA |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100, 500, 750 |
| 系列 | 2N6034 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V |
| 集电极连续电流 | 4 A |
| 频率-跃迁 | - |