Datasheet下载- 型号： 2N5886G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5886G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5886G价格参考。ON Semiconductor2N5886G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N5886G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5886G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5886G是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。它是一种NPN型晶体管，广泛应用于各种电子电路中，主要用于信号放大和开关功能。以下是其主要应用场景： 1. 音频放大器：2N5886G可以用于音频信号的放大，适合制作低频或中频功率放大器，例如家庭音响设备、耳机放大器等。 2. 功率放大器：由于其较高的电流和电压处理能力，该晶体管适用于设计功率放大电路，例如驱动小型电机、继电器或其他负载。 3. 开关电路：2N5886G可以用作电子开关，控制其他设备的通断状态。例如，在数字电路中作为信号切换元件，或者在电源管理中控制负载的开启与关闭。 4. 脉宽调制（PWM）控制：在需要精确控制输出功率的应用中，如LED亮度调节、直流电机速度控制等，2N5886G可以用作PWM信号的执行元件。 5. 传感器接口：该晶体管可用于将微弱的传感器信号进行放大处理，以便后续电路能够更准确地检测和分析这些信号。 6. 射频（RF）应用：尽管2N5886G并非专门针对高频设计，但在某些低频至中频的射频电路中，它仍然可以发挥一定的作用，比如简单的无线发射或接收模块中的信号放大。 7. 教育与实验：由于其性能稳定且易于使用，这款晶体管常被用作教学工具，帮助学生理解基本的晶体管工作原理及实际应用。 总之，2N5886G凭借其良好的电气特性，在多种工业、消费类电子产品以及教育领域都有着广泛的用途。选择具体应用时需根据实际需求考虑其额定参数是否满足要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN PWR GP 25A 80V TO3两极晶体管 - BJT 25A 80V 200W NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N5886G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N5886G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 4V @ 6.25A，25A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 10A，4V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-3 |
| 其它名称 | 2N5886GOS |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 托盘 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 4 MHz |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | TO-204AA，TO-3 |
| 封装/箱体 | TO-204-2 (TO-3) |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 200 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 25 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 25A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 2mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | 2N5886 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 25 A |
| 频率-跃迁 | 4MHz |
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