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- 型号： 2N5871
- 制造商： Harris
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5871由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5871价格参考。Harris2N5871封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N5871参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5871 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现属于Microchip Technology）的2N5871是一款硅NPN双极性晶体管（BJT），属于高频、高功率应用型器件。该型号晶体管主要用于射频（RF）功率放大和高速开关电路中，常见于通信设备、雷达系统、工业射频加热装置以及高可靠性军事与航空航天电子系统。 2N5871具有较高的截止频率和良好的增益特性，适用于甚高频（VHF）至超高频（UHF）范围内的信号放大，特别适合在需要高稳定性和耐高温性能的环境中工作。由于其封装设计具备优良的散热能力，常用于连续波（CW）或脉冲模式下的射频输出级。 此外，2N5871因其符合军用标准（如MIL-PRF-23919/23规范），被广泛应用于国防通信、电子对抗系统及卫星通信地面站等高可靠性要求场合。其稳定的电气性能和坚固的结构也使其在恶劣环境（如高温、高湿、强振动）下仍能可靠运行。 综上，2N5871主要应用场景包括：高频功率放大器、射频发射模块、军用通信设备、雷达驱动电路及工业射频能量系统，适用于对性能和可靠性要求极高的专业领域。
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