【未分类_2N5639RLRA】封装/厂家_2N5639RLRA中文资料_价格

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型号： 2N5639RLRA
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2N5639RLRA由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5639RLRA价格参考。ON Semiconductor2N5639RLRA封装/规格：未分类，暂无。您可以下载2N5639RLRA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5639RLRA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor 的 2N5639RLRA 是一款 N 沟道 MOSFET，属于射频场效应晶体管（RF FET），常用于高频信号放大和开关应用。该器件主要适用于工作频率较高的模拟和射频电路中。

典型应用场景包括：  
1. 射频放大器：适用于 VHF（甚高频）和 UHF（特高频）频段的信号放大，如在无线电通信设备、对讲机、广播接收前端等系统中作为小信号放大器使用。  
2. 振荡器电路：由于其良好的高频响应特性，可应用于射频振荡电路中，用于生成稳定的高频信号。  
3. 调制解调电路：在通信系统中作为射频信号调制或解调的有源元件。  
4. 低噪声前置放大：适合用于天线输入端的低噪声放大，提高接收灵敏度。  
5. 工业与消费类射频设备：如无线传感器、遥控装置、小型发射模块等对尺寸和功耗要求较高的场合。

2N5639RLRA 采用 TO-92 封装，体积小巧，适合空间受限的电路板设计。虽然其功率处理能力有限，但具备良好的开关速度和频率响应，特别适合中低功率的射频应用。此外，该器件具有较高的可靠性和稳定性，广泛应用于传统模拟和射频电子产品中。

需要注意的是，随着技术发展，部分新型射频MOSFET在性能上已超越2N5639RLRA，但在成本敏感或兼容性要求高的项目中，该型号仍具实用价值。

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