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  • 型号: 2N5551RL1
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供2N5551RL1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5551RL1价格参考。ON Semiconductor2N5551RL1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N5551RL1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5551RL1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

2N5551RL1 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款NPN型高频双极性晶体管(BJT),常用于中功率放大和开关应用。该晶体管具有较高的最大集电极电流(600mA)和耐压能力(VCEO=160V),适合在需要较高电压和频率响应的电路中使用。

其典型应用场景包括:

1. 音频功率放大器:用于音响设备中的前置或驱动级放大,提供良好的线性放大性能。

2. 射频(RF)放大器:因其具备较高的过渡频率(fT约100MHz),适用于低至中频的射频信号放大。

3. 开关电路:在DC-DC转换器、继电器驱动或LED照明控制中作为高速开关元件使用。

4. 电视机与显示器电源电路:常见于老式CRT显示器或电视机的水平扫描电路中,用作高压产生部分的开关或驱动元件。

5. 工业控制电路:如电机控制、传感器信号调理等场合,作为信号放大或驱动器件。

该晶体管采用SOT-23封装,体积小、便于安装,适用于各类通用电子设备的设计与维修替换。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN SS GP 0.6A 160V TO-92

产品分类

晶体管(BJT) - 单路

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

2N5551RL1

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 10mA,5V

供应商器件封装

TO-92-3

功率-最大值

625mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

晶体管类型

NPN

标准包装

2,000

电压-集射极击穿(最大值)

160V

电流-集电极(Ic)(最大值)

600mA

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

300MHz

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