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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 2N5114-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5114-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5114-E3价格参考。Vishay2N5114-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N5114-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N5114-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 2N5114-E3 是一款 N 沟道结型场效应晶体管（JFET），广泛应用于需要高输入阻抗和低噪声的模拟电路中。其主要应用场景包括： 1. 前置放大器：由于 JFET 具有高输入阻抗和低噪声特性，2N5114-E3 常用于音频和射频信号的前置放大电路中，尤其适合麦克风、传感器等微弱信号的放大。 2. 模拟开关与多路复用器：该器件可作为电压控制开关使用，在模拟信号切换电路中表现良好，适用于数据采集系统中的多路选择电路。 3. 电压控制电阻：在某些线性应用中，2N5114-E3 可作为可变电阻使用，通过栅极电压控制漏源之间的导通电阻，常见于自动增益控制（AGC）电路中。 4. 振荡器与混频器：因其良好的高频特性，该 JFET 也常用于射频振荡器和混频电路中，适用于通信设备中的信号处理模块。 5. 工业控制与测试仪器：在需要高精度和稳定性的测量仪器中，如示波器、信号发生器等，2N5114-E3 被用于构建高阻抗输入级电路。 总结来说，2N5114-E3 凭借其低噪声、高输入阻抗和良好的线性特性，广泛应用于音频处理、射频电路、测量仪器及模拟信号调节等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET P-CH 30V TO-206AA |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2N5114-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 200 |
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