Datasheet下载- 型号： 2N4391-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N4391-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N4391-E3价格参考。Vishay2N4391-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N4391-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N4391-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的2N4391-E3是一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），广泛应用于需要高输入阻抗和低噪声的模拟电路中。其主要应用场景包括： 1. 音频放大器：由于JFET具有高输入阻抗和良好的线性特性，2N4391-E3常用于前置放大器、麦克风放大器等音频电路中，有助于提高音质并减少信号失真。 2. 传感器接口电路：在温度、压力或光敏传感器等微弱信号检测电路中，该器件可作为输入级以提升信号采集的精度和灵敏度。 3. 射频（RF）前端电路：适用于低噪声放大器设计，尤其在通信设备中用于增强接收到的微弱射频信号。 4. 模拟开关与多路复用器：凭借其快速开关特性和低导通电阻，可用于构建高频模拟开关或信号路由系统。 5. 电压控制电阻应用：利用JFET的可变电阻特性，在压控滤波器或增益调节电路中实现连续平滑的参数调整。 总之，2N4391-E3因其优异的性能适合于要求高稳定性和低噪声的精密电子系统设计中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2N4391-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 4V @ 1nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 50mA @ 20V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14pF @ 20V |
| 供应商器件封装 | TO-206AA （TO-18） |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-206AA，TO-18-3 金属罐 |
| 标准包装 | 200 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS（开） | 30 欧姆 |
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