Datasheet下载- 型号： 2N4339-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2N4339-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N4339-E3价格参考。Vishay2N4339-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2N4339-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2N4339-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 2N4339-E3 是一款 N沟道结型场效应晶体管（JFET），广泛应用于需要高输入阻抗、低噪声和良好高频性能的电路中。 该器件的主要应用场景包括： 1. 音频放大电路： 由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性，2N4339-E3常用于前置放大器、麦克风放大器和高品质音频设备中，以提升信号的清晰度和保真度。 2. 模拟开关和多路复用器： 2N4339-E3可用于低失真模拟开关电路，适用于音频信号切换或数据采集系统中的多路复用应用。 3. 高频放大器： 该器件具备良好的高频响应，适用于射频（RF）和中频（IF）放大电路，常见于通信设备和接收器前端。 4. 电压控制电阻应用： JFET可在可变电阻模式下工作，用于电压控制衰减器或自动增益控制（AGC）电路中。 5. 传感器接口电路： 在需要高输入阻抗的传感器信号调理电路中，如光电传感器、压电传感器等，2N4339-E3可用于信号放大和处理。 该器件采用TO-92封装，适合通孔安装，广泛用于消费电子、工业控制和通信设备中。其耐用性和稳定性使其成为多种模拟电路设计中的优选器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AAJFET 50V 1.5mA |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,Vishay / Siliconix 2N4339-E3- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2N4339-E32N4339-E3 |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 50 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 50 V |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 600mV @ 100nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 500µA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 15V |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | TO-206AA （TO-18） |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-206AA，TO-18-3 金属罐 |
| 封装/箱体 | TO-206AA |
| 工厂包装数量 | 200 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 200 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 50V |
| 电阻-RDS（开） | - |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 50 V |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
2N4339-E3 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商