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2N3415产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N3415由Central Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N3415价格参考¥1.42-¥1.44。Central Semiconductor2N3415封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 25V 500mA 1.5W 通孔 TO-92。您可以下载2N3415参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N3415 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N3415 是由 Central Semiconductor Corp 生产的一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。它通常被用作开关或放大器件,适用于多种电子电路设计。以下是 2N3415 的一些典型应用场景: 1. 音频信号放大 - 2N3415 可用于低频音频信号的放大,例如在音响设备、对讲机或耳机放大器中。由于其具有较高的增益和稳定性,适合处理声音信号的初级或中间级放大。 2. 开关电路 - 在数字电路中,2N3415 可作为开关元件使用。通过控制基极电流,可以实现对负载的开启或关闭操作,例如 LED 驱动、继电器控制等。 3. 电源管理 - 该晶体管可用于简单的线性稳压电路中,配合其他元件(如电阻、电容)调节输出电压,确保负载获得稳定的电源供应。 4. 传感器信号调理 - 在工业自动化或物联网领域,2N3415 能够放大来自传感器的微弱信号,以便后续处理或传输。例如,温度传感器、压力传感器等的信号放大。 5. 射频(RF)应用 - 尽管 2N3415 主要针对低频应用,但在某些低功率射频电路中,它也可以用作小信号放大器或混频器的一部分。 6. 电机驱动 - 对于小型直流电机,2N3415 可以用作驱动晶体管,通过控制基极电流来调节电机的速度或方向。 7. 测试与测量设备 - 在示波器、万用表或其他测试仪器中,2N3415 可能被用作信号放大或缓冲元件,以提高测量精度。 注意事项 - 在实际应用中,需要根据电路需求选择合适的偏置电阻和工作条件,以确保晶体管工作在线性区或饱和/截止区。 - 2N3415 的额定参数(如集电极-发射极电压、最大功耗等)应严格遵守,避免过载导致损坏。 总之,2N3415 是一款通用性强的双极型晶体管,适用于各种低频、小信号或中等功率的电子电路设计。
参数 | 数值 |
品牌 | Central Semiconductor |
产品目录 | 半导体 |
描述 | 两极晶体管 - BJT NPN 25V 500mA BULK HFE/540 |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Central Semiconductor 2N3415 |
产品型号 | 2N3415 |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | Central Semiconductor |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/箱体 | TO-92 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | NPN |
最大功率耗散 | 625 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
最小工作温度 | - 65 C |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 75 |
系列 | 2N3415 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 5 V |
集电极—基极电压VCBO | 25 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.3 V |
集电极连续电流 | 0.45 A |
2N3414 MPS3414 2N3415 MPS3415 2N3416 MPS3416 www.centralsemi.com 2N3417 MPS3417 DESCRIPTION: SILICON The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3414, MPS3414 NPN TRANSISTORS series devices are silicon NPN transistors, manufactured by the epitaxial planar process, designed for general purpose and switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER TO-92 CASE 2N3414 2N3416 2N3415 2N3417 MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C unless otherwise noted) MPS3414 MPS3416 SYMBOL MPS3415 MPS3417 UNITS Collector-Base Voltage VCBO 25 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 25 50 V Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 V Continuous Collector Current IC 500 mA Power Dissipation PD 625 mW Power Dissipation (TC=25°C) PD 1.5 W Operating and Storage Junction Temperature TJ, Tstg -65 to +150 °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted) SYMBOL TEST CONDITIONS MIN MAX UNITS ICBO VCB=Rated VCBO 100 nA IEBO VEB=5.0V 100 nA BVCEO IC=10mA (3414, 3415) 25 V BVCEO IC=10mA (3416, 3417) 50 V VCE(SAT) IC=50mA, IB=3.0mA 0.3 V VBE(SAT) IC=50mA, IB=3.0mA 0.85 V hFE VCE=4.5V, IC=2.0mA (3414, 3416) 75 225 hFE VCE=4.5V, IC=2.0mA (3415, 3417) 180 540 hfe VCE=4.5V, IC=2.0mA, f=1.0kHz (3414, 3416) 75 hfe VCE=4.5V, IC=2.0mA, f=1.0kHz (3415, 3417) 180 R3 (10-September 2013)
2N3414 MPS3414 2N3415 MPS3415 2N3416 MPS3416 2N3417 MPS3417 SILICON NPN TRANSISTORS TO-92 CASE - MECHANICAL OUTLINE 2N3414 THRU 2N3417 LEAD CODE: 1) Emitter 2) Collector 3) Base MPS3414 THRU MPS3417 LEAD CODE: 1) Emitter 2) Base 3) Collector MARKING: FULL PART NUMBER R3 (10-September 2013) www.centralsemi.com
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