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Datasheet下载- 型号： 2DB1182Q-13
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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2DB1182Q-13产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2DB1182Q-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2DB1182Q-13价格参考。Diodes Inc.2DB1182Q-13封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 32V 2A 110MHz 10W 表面贴装 TO-252。您可以下载2DB1182Q-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2DB1182Q-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的2DB1182Q-13是一款双极性晶体管（BJT），主要用于需要高频和高可靠性性能的电路设计中。该晶体管采用小信号设计，适合用于射频（RF）放大器、混频器、振荡器等高频电路中。其应用场景主要包括： 1. 射频前端模块：在无线通信系统中，如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等无线模块中，作为低噪声放大器（LNA）或驱动放大器使用。 2. 高频放大电路：适用于GHz级别的高频信号放大，常见于射频识别（RFID）设备、无线传感器网络等。 3. 振荡器与混频器：在频率合成器、调制解调器中，作为关键的信号处理元件，用于产生和处理高频信号。 4. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑中的射频电路部分，用于提升信号接收和发送的稳定性。 5. 工业与汽车电子：在一些对可靠性要求较高的工业控制或汽车通信模块中，也能见到该晶体管的应用，尤其是在需要高频响应和稳定性的场景中。 2DB1182Q-13采用SOT-363封装，体积小、功耗低，适合高密度PCB布局，广泛应用于便携式和高频电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PNP 32V TO252 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2DB1182Q-13 |
| PCN其它 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 800mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 500mA，3V |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 其它名称 | 2DB1182Q-13DIDKR |
| 功率-最大值 | 10W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 32V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 110MHz |
