【未分类_1SS315TPH3F】封装/厂家_1SS315TPH3F中文资料_价格

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型号： 1SS315TPH3F
制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供1SS315TPH3F由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1SS315TPH3F价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.1SS315TPH3F封装/规格：未分类，暂无。您可以下载1SS315TPH3F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1SS315TPH3F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）生产的型号为1SS315TPH3F的二极管，属于射频（RF）二极管类别。这类二极管通常用于高频信号处理领域，具有低电容、快速开关和高频率响应的特点。以下是该型号可能的应用场景：

1. 射频开关：  
   1SS315TPH3F可用于射频通信系统中的开关应用，例如在无线通信设备（如基站、雷达和卫星通信系统）中实现信号通断控制。

2. 混频器和倍频器：  
   在射频电路中，该二极管可以作为非线性元件，用于混频或倍频操作，从而实现频率转换功能。

3. 检波器：  
   该型号适用于射频信号的包络检波，能够将高频射频信号转化为低频直流或音频信号，广泛应用于AM广播接收机和其他信号检测设备。

4. 限幅器：  
   在保护电路中，1SS315TPH3F可以用作限幅器，防止过大的输入信号损坏后续敏感电路。

5. 调制与解调电路：  
   该二极管可用于调制和解调电路中，特别是在ASK（振幅移键调制）或其他基于振幅变化的通信系统中。

6. 高频滤波与匹配网络：  
   利用其低结电容特性，1SS315TPH3F可参与设计高频滤波器或阻抗匹配网络，优化射频信号传输效率。

7. 无线能量传输：  
   在某些短距离无线能量传输应用中，该二极管可用于整流高频射频能量。

总结来说，1SS315TPH3F主要应用于需要高性能射频信号处理的场景，如通信设备、雷达系统、卫星通信以及无线传感器网络等。其快速响应和低损耗特性使其成为这些领域的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	DIODE SCHOTTKY 5V 30MA USC肖特基二极管与整流器 PIN DIODE
产品分类	RF 二极管分离式半导体
品牌	ToshibaToshiba Semiconductor and Storage
产品手册	http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/lookup.jsp?pid=1SS315&lang=en
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Toshiba 1SS315TPH3F-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	1SS315TPH3F1SS315TPH3F
不同 If、F时的电阻	-
不同 Vr、F时的电容	0.6pF @ 0.2V，1MHz
二极管类型	肖特基 - 单
产品	Schottky Diodes
产品种类	肖特基二极管与整流器
供应商器件封装	USC
其它名称	1SS315TPH3FDKR
功率耗散（最大值）	-
包装	Digi-Reel®
商标	Toshiba
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SC-76，SOD-323
封装/箱体	USC
峰值反向电压	5 V
工作温度范围	+ 125 C
工厂包装数量	3000
技术	Silicon
最大反向漏泄电流	25 uA at 0.5 V
最大工作温度	+ 125 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向电压下降	0.25 V at 0.002 A
正向连续电流	0.03 A
电压-峰值反向（最大值）	5V
电流-最大值	30mA
配置	Single