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  • 型号: 1PMT5921BT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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1PMT5921BT1G产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1PMT5921BT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1PMT5921BT1G价格参考。ON Semiconductor1PMT5921BT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 6.8V 3.2W ±5% 表面贴装 Powermite。您可以下载1PMT5921BT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1PMT5921BT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的1PMT5921BT1G是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。该器件主要用于电压基准和电压保护应用。其稳定且精确的齐纳击穿电压(标称值为5.6V)使其非常适合需要高精度参考电压的电路,如电源管理模块、模拟信号调理电路和数据转换器中的基准源。

1PMT5921BT1G采用小型SOD-323封装,具有低功耗和小尺寸特点,广泛应用于便携式电子设备,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。在这些设备中,它可用于保护敏感的集成电路免受静电放电(ESD)或电压瞬变的影响。

此外,该齐纳二极管也常用于工业控制、消费类电子产品和通信设备中的稳压与过压保护电路。由于其响应速度快、可靠性高,特别适合在噪声较大或供电不稳定的环境中维持电路稳定工作。

总体而言,1PMT5921BT1G凭借其紧凑设计、稳定性能和良好温度特性,适用于对空间和精度要求较高的低压电子系统中的电压钳位、稳压及基准应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 6.8V 3.2W POWERMITE稳压二极管 6.8V 3.2W Powermite

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor 1PMT5921BT1G-

数据手册

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产品型号

1PMT5921BT1G

不同If时的电压-正向(Vf)

1.25V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

5µA @ 5.2V

产品种类

Diodes- Zener

供应商器件封装

Powermite

其它名称

1PMT5921BT1GOSCT

功率-最大值

3.2W

功率耗散

500 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

DO-216AA

封装/箱体

DO-216AA

工作温度

-55°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

5 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

2.5 Ohms

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

6.8V

电压容差

5 %

系列

1PMT5921B

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

2.5 欧姆

齐纳电压

6.8 V

齐纳电流

200 mA

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