Datasheet下载- 型号： 1N6461US
- 制造商： MICRO-SEMI
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N6461US由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N6461US价格参考。MICRO-SEMI1N6461US封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N6461US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N6461US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation生产的1N6461US是一款瞬态电压抑制二极管（TVS二极管），主要用于电子电路中的过电压保护。该器件属于高可靠性TVS产品线，具有快速响应时间和高浪涌吸收能力，适用于对电路稳定性要求较高的应用场景。 1N6461US常用于通信设备、工业控制系统和航空航天电子系统中，用于保护敏感元器件免受静电放电（ESD）、雷击感应、电源突波等瞬态电压的损害。其典型应用包括数据线路保护（如RS-232、RS-485接口）、电源输入端口防护以及信号线路的过压保护。由于Microsemi的产品广泛应用于高可靠性领域，1N6461US也常见于军事、航空和航天等严苛环境下的电子设备中，确保系统在极端条件下的稳定运行。 此外，该型号采用表面贴装封装，节省空间，适合高密度电路板设计。其稳定的性能和高耐压特性使其成为高性能电子系统中理想的保护元件。总之，1N6461US适用于需要高可靠性和强抗干扰能力的工业、通信及国防电子设备中，提供高效、可靠的瞬态电压保护。
产品参数
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