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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N645UR-1由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N645UR-1价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N645UR-1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N645UR-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N645UR-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的1N645UR-1是一种高频锗二极管,属于二极管中的整流器类别。该器件常用于高频信号检测、混频、检波及小信号整流等应用。 1N645UR-1具有低正向压降、快速恢复时间和高频率响应的特点,使其特别适用于通信设备中的高频信号处理,例如在射频(RF)接收器前端作为检波器使用。此外,它还可用于模拟调制解调器、频谱分析仪、测试测量设备以及老式高频电子设备中的信号整流和开关电路中。 由于其封装形式为SOD-323,体积小巧,适合在空间受限的高密度电路板上应用。该器件的工作温度范围较宽,适用于工业级环境。 总结而言,1N645UR-1主要应用于高频电子系统中的信号检测、混频、整流和开关控制等场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE RECT STD RECOVERY |
| 产品分类 | 单二极管/整流器 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/5880-1n645ur-1-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N645UR-1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 400mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 225V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 供应商器件封装 | * |
| 包装 | * |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 175°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 225V |
| 电流-平均整流(Io) | 400mA |
| 速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |