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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5917BUR-1由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5917BUR-1价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5917BUR-1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5917BUR-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5917BUR-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的1N5917BUR-1是一款齐纳二极管,属于单路齐纳二极管类别。它主要用于电压参考和稳压电路中,具有稳定的击穿电压特性,适用于需要精确电压控制的电子系统。 该器件的典型应用场景包括: 1. 电源稳压电路:作为基准电压源,用于线性稳压器或开关电源中,确保输出电压稳定。 2. 电压检测电路:在电池管理系统或电源监控电路中,用于检测电压是否超出设定阈值。 3. 过压保护电路:作为电压钳位元件,防止瞬态高压对后级电路造成损害。 4. 仪表和测量设备:用于提供稳定的参考电压,以确保测量精度。 5. 通信设备:在通信模块的电源管理部分,用于维持稳定的电压水平,确保信号完整性。 1N5917BUR-1采用表面贴装封装(如SOD-123),适合高密度PCB布局,广泛应用于工业控制、通信、消费电子和汽车电子等领域。其稳定性和可靠性使其在对性能要求较高的场合中具有广泛应用价值。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | DIODE ZENER 4.7V 1.25W DO-213AB |
产品分类 | 单二极管/齐纳 |
品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10865-sa3-35-pdf |
产品图片 | |
产品型号 | 1N5917BUR-1 |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1.5V |
供应商器件封装 | DO-213AB |
功率-最大值 | 1.25W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 表面贴装 |
容差 | ±5% |
封装/外壳 | DO-213AB,MELF |
工作温度 | -65°C ~ 175°C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 4.7V |
阻抗(最大值)(Zzt) | 5 欧姆 |