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  • 型号: 1N5821-T
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5821-T由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5821-T价格参考。Diodes Inc.1N5821-T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5821-T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5821-T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD肖特基二极管与整流器 Vr/30V Io/3A T/R

产品分类

单二极管/整流器分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Diodes Incorporated 1N5821-T-

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产品型号

1N5821-T

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同If时的电压-正向(Vf)

500mV @ 3A

不同 Vr、F时的电容

-

不同 Vr时的电流-反向漏电流

2mA @ 30V

二极管类型

肖特基

产品

Schottky Diodes

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

肖特基二极管与整流器

供应商器件封装

DO-201AD

其它名称

1N5821DITR
1N5821T
1N5821TR
1N5821TR-ND

包装

带卷 (TR)

单位重量

1.100 g

反向恢复时间(trr)

-

商标

Diodes Incorporated

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Reel

封装/外壳

DO-201AD,轴向

封装/箱体

DO-201AD

峰值反向电压

30 V

工作温度-结

-65°C ~ 150°C

工作温度范围

- 65 C to + 125 C

工厂包装数量

1200

技术

Silicon

最大反向漏泄电流

2000 uA

最大工作温度

+ 125 C

最大浪涌电流

80 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1,200

正向电压下降

0.9 V at 9.4 A

正向连续电流

3 A

热阻

40°C/W Ja

电压-DC反向(Vr)(最大值)

30V

电流-平均整流(Io)

3A

系列

1N5821

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

配置

Single

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