Datasheet下载- 型号： 1N5820G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5820G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5820G价格参考。ON Semiconductor1N5820G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N5820G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5820G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5820G 是一款由 ON Semiconductor 生产的肖特基二极管（Schottky Diode），属于二极管 - 整流器 - 单类别。该型号具有低正向压降和快速开关特性，适用于多种电子电路中的整流、保护和信号处理任务。以下是其主要应用场景： 1. 电源整流 - 1N5820G 常用于直流电源适配器或开关电源中的整流功能。由于其低正向压降（典型值约为0.4V），可以有效减少功率损耗，提高电源效率。 - 适用于小型电子设备、电池充电器或其他低功耗系统。 2. 续流保护 - 在开关电路中（如继电器、电机驱动或电感负载电路），1N5820G 可用作续流二极管，吸收电感负载断开时产生的反向电动势，保护晶体管或 MOSFET 不被击穿。 3. 太阳能电池板保护 - 在小型太阳能发电系统中，1N5820G 可以防止电池在无光照情况下向太阳能电池板反向放电，同时其低损耗特性有助于提升能量转换效率。 4. 信号隔离与逻辑电路 - 1N5820G 可用于信号隔离，避免不同电路之间的干扰。例如，在多电源系统中，它可以确保电流仅在一个方向流动。 - 在某些数字电路中，它可用于简单的逻辑门设计或电压钳位。 5. 逆向电压保护 - 在便携式设备或嵌入式系统中，1N5820G 能够防止因电池极性接反导致的损坏。通过阻止反向电流流动，保护敏感的电子元件。 6. 高频应用 - 由于其快速恢复时间（几乎为零），1N5820G 适合高频电路中的整流或同步整流任务，例如音频设备、无线通信模块或高频开关电源。 总结 1N5820G 的特点使其成为低成本、高效能解决方案的理想选择。它的典型参数包括：最大正向电流 1A，反向峰值电压 40V，以及低正向压降，非常适合需要高效率和简单设计的消费类电子产品、工业控制设备及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD肖特基二极管与整流器 3A 20V |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor 1N5820G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1N5820G |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 475mV @ 3A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2mA @ 20V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | DO-201AD |
| 其它名称 | 1N5820G-ND |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | DO-201AA，DO-27，轴向 |
| 封装/箱体 | DO-201AD |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 125°C |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 125 C |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 2000 uA |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 80 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 500 |
| 正向电压下降 | 0.85 V at 9.4 A |
| 正向连续电流 | 3 A |
| 热阻 | 28°C/W Ja |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 3A |
| 系列 | 1N5820 |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
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