【未分类_1N5619US】封装/厂家_1N5619US中文资料_价格

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型号： 1N5619US
制造商： American Microsemiconductor, Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5619US由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5619US价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5619US封装/规格：未分类，暂无。您可以下载1N5619US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5619US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation（现为Microchip Technology的一部分）生产的1N5619US是一种硅整流二极管，属于二极管 - 整流器 - 单类别。这种二极管的应用场景主要集中在需要高效整流和电压保护的电路中。以下是其主要应用场景：

 1. 电源整流
   - 1N5619US常用于将交流电（AC）转换为直流电（DC）的整流电路中。例如，在开关电源、线性电源或适配器中，该二极管可以将变压器输出的交流电压整流为直流电压。
   - 它适用于低至中等功率的电源设计，能够承受一定的反向电压和正向电流。

 2. 逆向电压保护
   - 在电子设备中，1N5619US可以用作防止电源极性接反的保护元件。通过串联在电路中，它可以阻止反向电流流动，从而保护敏感的电路组件。
   - 这种应用常见于电池供电设备、汽车电子系统和其他需要稳定供电的场合。

 3. 续流保护
   - 在感性负载（如继电器、电机或变压器）的电路中，1N5619US可以用作续流二极管。当感性负载断开时，它能释放存储的能量，避免产生过高的感应电压损坏其他元件。
   - 这种应用场景常见于工业控制、家用电器和自动化设备中。

 4. 浪涌吸收
   - 该二极管具有较高的反向电压耐受能力（峰值反向电压可达100V），因此适合用作浪涌保护器件。它可以有效吸收瞬态电压尖峰，保护后续电路免受损害。
   - 此类应用广泛存在于通信设备、家用电器和汽车电子系统中。

 5. 信号整流
   - 在某些模拟电路中，1N5619US可以用来对高频或低频信号进行整流处理。例如，在无线电接收器或传感器信号调理电路中，它可以帮助提取信号的直流分量。

 性能特点
   - 正向电流：1N5619US的最大正向电流为1A，适合中低功率应用。
   - 反向电压：其峰值反向电压为100V，能够应对一般的高压环境。
   - 快速恢复特性：虽然不是快速恢复二极管，但其恢复时间足以满足大多数普通整流需求。

综上所述，1N5619US适用于多种需要整流、保护和续流功能的场景，特别是在中低功率电子设备和工业控制系统中表现优异。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE RECT 600V 1A REC D-5A
产品分类	单二极管/整流器
品牌	Microsemi Commercial Components Group
数据手册	http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10967-sa7-45-pdf
产品图片
产品型号	1N5619US
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同If时的电压-正向(Vf)	1.6V @ 3A
不同 Vr、F时的电容	25pF @ 12V，1MHz
不同 Vr时的电流-反向漏电流	500nA @ 600V
二极管类型	标准
供应商器件封装	D-5A
包装	散装
反向恢复时间(trr)	250ns
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SQ-MELF， A
工作温度-结	-65°C ~ 175°C
标准包装	1
电压-DC反向(Vr)（最大值）	600V
电流-平均整流(Io)	1A
速度	快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io）