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  • 型号: 1N5376BE3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5376BE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5376BE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5376BE3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5376BE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5376BE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Littelfuse子公司)的1N5376BE3/TR12是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类型。该器件主要用于电压参考和稳压应用。

其典型应用场景包括:

1. 电源稳压电路:作为电压参考元件,用于线性稳压器或开关电源中,确保输出电压稳定。

2. 电压监测电路:在电池管理系统或电源监控电路中,用于检测电压是否超过或低于设定阈值。

3. 信号调节电路:在模拟电路中提供稳定的参考电压,用于比较器、运算放大器等电路中。

4. 过压保护电路:用于限制电路中某一点的电压,保护后续电路免受高压损坏。

5. 嵌入式系统和工业控制:用于工业控制系统、测量仪器和通信设备中的精密电压参考源。

该器件采用表面贴装封装(如SOD-123),适合高密度PCB设计,具有响应速度快、稳定性好、可靠性高等优点,广泛应用于通信、工业、消费电子和汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 5.0W 87V 5% T-18

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

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产品图片

产品型号

1N5376BE3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 1A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 63V

供应商器件封装

T-18

功率-最大值

5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

T-18,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

87V

阻抗(最大值)(Zzt)

75 欧姆

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