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  • 型号: 1N5367BE3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5367BE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5367BE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5367BE3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5367BE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5367BE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现属于Littelfuse)的1N5367BE3/TR12是一款齐纳二极管,属于单颗齐纳二极管类型。该型号的齐纳电压为75V,功率为5W,采用DO-204AL(DO-41)封装,适用于多种电压调节和保护电路中。

其主要应用场景包括:

1. 电源电路中的稳压:用于提供稳定的参考电压或在小功率电源中作为电压调节元件,确保输出电压稳定。

2. 过压保护:在电源输入端或信号线路中作为钳位器件,防止瞬态高压对后续电路造成损害。

3. 基准电压源:在模拟电路、测量设备中用作高精度电压基准,提供稳定的参考电平。

4. 浪涌保护电路:与TVS二极管配合使用,在通信设备、工业控制系统中抑制静电放电(ESD)和雷击浪涌。

5. 电池管理系统:用于监测和限制电池充电电压,防止过充现象发生。

由于其75V的齐纳电压较高,适用于中高压电路中的稳压与保护场合,广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子及汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 5.0W 43V 5% T-18

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

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产品图片

产品型号

1N5367BE3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 1A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 31V

供应商器件封装

T-18

功率-最大值

5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

T-18,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

43V

阻抗(最大值)(Zzt)

20 欧姆

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