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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5358E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5358E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5358E3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5358E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5358E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Littelfuse子公司)的1N5358E3/TR12是一款齐纳二极管,属于单颗齐纳二极管类型。该型号具有精确的电压调节特性和较高的功率耗散能力,适用于需要稳定电压参考或电压钳位的电路中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、稳压模块等,提供基准电压或实现电压限制功能,确保系统在安全电压范围内运行。 2. 过压保护(OVP)电路:作为电压检测元件,当输入电压超过设定阈值时触发保护机制,防止后级电路损坏。 3. 电压参考源:在模拟电路、ADC/DAC模块中提供稳定的参考电压,提升测量精度。 4. 浪涌抑制和ESD保护:在接口电路(如USB、RS-232/RS-485)中用于吸收瞬态电压尖峰,提高系统抗干扰能力。 5. 工业控制与通信设备:广泛应用于PLC、传感器、仪表及通信基站等对稳定性要求高的场合。 该器件采用SOD-123封装,体积小、响应速度快,适合高密度PCB设计。其额定齐纳电压为12V(典型值),最大功耗可达1W,具备良好的热稳定性和可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | DIODE ZENER 5.0W 22V 20% T-18 |
产品分类 | 单二极管/齐纳 |
品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 1N5358E3/TR12 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 15.8V |
供应商器件封装 | T-18 |
功率-最大值 | 5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 通孔 |
容差 | ±20% |
封装/外壳 | T-18,轴向 |
工作温度 | -65°C ~ 150°C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 22V |
阻抗(最大值)(Zzt) | 3.5 欧姆 |