Datasheet下载- 型号： 1N5352BE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5352BE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5352BE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5352BE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N5352BE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5352BE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology的一部分）生产的1N5352BE3/TR12是一款单齐纳二极管，其主要应用场景包括电压调节、稳压和过压保护等。 1. 电压调节与稳压 该齐纳二极管常用于电路中提供稳定的参考电压。当输入电压波动时，齐纳二极管能够保持输出电压的相对稳定。例如，在电源电路中，1N5352BE3/TR12可以用于将较高的输入电压钳位到一个固定的较低电压值，确保后端电路的供电电压稳定。其典型的应用场景包括为传感器、微控制器或其他低功耗设备提供稳定的电源电压。 2. 过压保护 在一些敏感的电子设备中，过高的电压可能会损坏电路。1N5352BE3/TR12可以通过钳位作用来防止过高的电压进入电路，从而保护后续的元器件。例如，在通信接口、数据线或电源输入端口处，齐纳二极管可以有效地吸收瞬态高电压，避免对内部电路造成损害。 3. 信号箝位 在模拟电路中，齐纳二极管可以用于箝位信号电平。例如，在音频放大器或RF电路中，1N5352BE3/TR12可以将信号的峰值限制在一个安全范围内，防止信号失真或损坏放大器。此外，它还可以用于防止负电压超出允许范围，尤其是在双向信号传输中。 4. 温度补偿 某些应用中，齐纳二极管的反向击穿电压会随温度变化而变化。通过合理选择齐纳二极管的参数，可以在某些电路中实现温度补偿功能，确保电路在不同温度下的性能更加稳定。 5. 浪涌抑制 在电力系统或工业控制设备中，齐纳二极管可以用于抑制瞬态浪涌电压。例如，在雷击或电网波动的情况下，1N5352BE3/TR12可以帮助吸收这些瞬态电压，保护电路免受损坏。 总结 1N5352BE3/TR12齐纳二极管广泛应用于各种需要电压调节、稳压、过压保护和信号箝位的场合。其可靠的性能和广泛的适用性使其成为许多电子产品中的关键元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.0W 15V 5% T-18 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5352BE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 10.8V |
| 供应商器件封装 | T-18 |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | T-18，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 15V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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