Datasheet下载- 型号： 1N5335BE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5335BE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5335BE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5335BE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N5335BE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5335BE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology子公司）的1N5335BE3/TR12是一款齐纳二极管，属于单颗齐纳二极管，常用于电压参考和稳压电路中。 该器件的主要应用场景包括： 1. 电源稳压电路：作为基准电压源，用于线性稳压器或开关电源中，提供稳定的电压参考点，确保输出电压的稳定性。 2. 过压保护电路：在电源管理或接口电路中用于钳位电压，防止瞬态高压对后续电路造成损害。 3. 电压检测电路：用于电池管理系统、电源监控模块中，作为电压阈值检测元件。 4. 信号调节电路：在模拟电路中用于电平转换或信号限幅，保障后级电路的安全运行。 5. 工业控制与通信设备：广泛应用于工业自动化系统、通信基站、仪器仪表等要求高稳定性和可靠性的场合。 该器件采用表面贴装封装（如SOD-123），适合自动化生产，具有良好的温度稳定性和响应速度，适用于多种电子系统设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.0W 3.9V 5% T-18 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5335BE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | T-18 |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | T-18，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.9V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
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